激光二极管触发光导开关实验研究

Zhaoyang Wu,Zhigang Chen,Changjiang Xue,Wei Lu,Zhoubing Yang

Qiangjiguang Yu Lizishu/High Power Laser and Particle Beams（2012）

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摘要

介绍了利用大功率半导体激光二极管触发3 mm间隙GaAs光导开关、产生非线性电脉冲输出的实验,激光二极管输出功率为70 W,上升前沿约20 ns,脉冲半高宽(FWHM)约40 ns.随着开关两端偏置场强增加,输出电压也线性增加,当偏置场强超过一定阈值,增至约2.53 kV/mm时,经过一个较小的电压峰值和时间延迟后,输出电压急剧增加,产生雪崩现象.实验结果表明:GaAs开关非线性输出的产生与载流子聚集和碰撞电离有关,偏置电场的提高增加了开关芯片中载流子聚集数量,加剧了碰撞离化程度,从而使开关从线性模式进入雪崩模式.

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关键词

Carrier accumulation,Laser diode,Nonlinear,Photoconductive semiconductor switch

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