基本信息
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个人简介
针对“后摩尔时代”信息存储技术的需求,致力于研究基于新物理现象的新型电子存储器件,如阻变存储(RRAM)、磁存储(MRAM),在新型功能电子器件的研究方面取得了一系列的成果。发展了界面高迁移二维电子气的外延氧化物异质结在RRAM中的应用,大幅度提高了RRAM的存储速度、抗疲劳度及器件稳定性,并利用氧化物的宽光学带隙,发展了透明RRAM;拓展了自旋电子学新材料,3d过渡金属氮化物展现出低磁阻尼、高自旋极化率、垂直磁各向异性,在基于自旋转移力矩的磁存储器(STT-MRAM)和基于自旋轨道力矩的磁存储器(SOT-MRAM)具有重要的应用前景。在国际期刊 Physical Review X、NPG Asia Materials, ACS Applied Materials & Interfaces、Applied Physics Letters等发表学术论文70余篇。
研究兴趣
论文共 72 篇作者统计合作学者相似作者
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Yijun Cheng, Jiali Wang,Zhihao He, Mingyi Chen, Xinhao Guo, Bo Deng,Quanlin Ye,Shuwei Li,Huanjun Chen,Iam Keong Sou,Shuxiang Wu
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACESno. 14 (2024): 17881-17890
Advanced science (Weinheim, Baden-Wurttemberg, Germany) (2023)
Applied Physics Lettersno. 26 (2022)
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