基本信息
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职业迁徙
个人简介
所获奖项及重大科研成果
主要研究领域包括半导体材料、器件和集成电路。作为主持人,承担完成国家自然科学基金、天津市自然科学基金、河北省自然科学基金、总装备部武器装备预研基金、教育部博士学科专项科研基金等国家和省部级科研项目21项。在半导体晶体材料、半导体薄膜材料、半导体中杂质和缺陷的特性及其控制利用、半导体发光器件、微波功率和高速高频化合物半导体器件及集成电路研制方面取得了多项科研成果,发表学术论文180余篇,研制出了多款GaAs基MESFET及单片集成电路、InP基HEMT及单片集成电路、GaN基HEMT、InP基共振隧穿器件,在直拉GaAs、InP单晶中的一些主要缺陷的特性、产生机理、对材料特性的影响及其控制利用方面取得了一些重要的新发现,提出了新机理模型,其中“InP单晶中主要缺陷结构及其形成机理”获2009年河北省自然科学二等奖。
承担和参与教研教改项目6项,“面向21世纪的电子信息人才培养体系的创新与实践”获2009年河北省教学成果二等奖,改革生产实习模式,促进创新应用型人才培养的研究与实践,2013年河北省教学成果三等奖
主要研究领域包括半导体材料、器件和集成电路。作为主持人,承担完成国家自然科学基金、天津市自然科学基金、河北省自然科学基金、总装备部武器装备预研基金、教育部博士学科专项科研基金等国家和省部级科研项目21项。在半导体晶体材料、半导体薄膜材料、半导体中杂质和缺陷的特性及其控制利用、半导体发光器件、微波功率和高速高频化合物半导体器件及集成电路研制方面取得了多项科研成果,发表学术论文180余篇,研制出了多款GaAs基MESFET及单片集成电路、InP基HEMT及单片集成电路、GaN基HEMT、InP基共振隧穿器件,在直拉GaAs、InP单晶中的一些主要缺陷的特性、产生机理、对材料特性的影响及其控制利用方面取得了一些重要的新发现,提出了新机理模型,其中“InP单晶中主要缺陷结构及其形成机理”获2009年河北省自然科学二等奖。
承担和参与教研教改项目6项,“面向21世纪的电子信息人才培养体系的创新与实践”获2009年河北省教学成果二等奖,改革生产实习模式,促进创新应用型人才培养的研究与实践,2013年河北省教学成果三等奖
研究兴趣
论文共 278 篇作者统计合作学者相似作者
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Chunmei Chen,Ruixia Yang,Niefeng Sun,Shujie Wang,Yanlei Shi,Xiaolan Li,Yang Wang,Huimin Shao, Aimin Bu,Huisheng Liu,Xiaodan Zhang, Jian Jiang,
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICSno. 27 (2023): 1-10
Chunmei Chen,Ruixia Yang,Niefeng Sun,Shujie Wang,Yanlei Shi,Xiaolan Li, Yang Wang,Huimin Shao,Xiaodan Zhang, Jian Jiang
SSRN Electronic Journal (2022): 126902
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